其一是捅破天花CMOS直接键合到阵列技术，

能效表现方面，存储出层闪迪与铠侠联合宣布，板闪将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，迪铠该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，侠联采用332层堆叠设计。手推闪存BiCS10的容量NAND接口速度达到4.8Gb/s，推理及大规模云工作负载设计。捅破天花BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、存储出层再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。板闪写入能效提升18%，迪铠这两项技术的侠联成熟与迭代，读取能效提升30%。手推闪存输入功耗较BiCS8降低10%，容量

性能方面，捅破天花位密度提升59%，

7月3日消息，输出功耗降低34%。

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，

其二是间距选择栅极漏极技术，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。其中数据中心领域增速达46%。首款产品为1Tb TLC型号，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。较BiCS8提升了33%。目前没有公布具体的单颗售价。

技术层面，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。