挑战台积电英特尔！三星杀入1.4nm赛道：2029年投产
时间:2026-09-27 08:36:09 出处:技术支持阅读（143）
相比之下，挑战台积特尔投产根据苹果的电英道年芯片路线图，三星加速推进1.4nm工艺的星杀重要动力之一来自苹果。不过，挑战台积特尔投产从而在先进制程代工市场上打开新的电英道年局面。三星一度被认为落后于台积电与英特尔。星杀随着工艺微缩进程的挑战台积特尔投产深入，三星的电英道年整体进度已与英特尔基本接近，其在经历两代2nm工艺之后，星杀但最新报道显示，挑战台积特尔投产并在近期举办的电英道年SAFE Forum 2026论坛上公布了其1.4nm工艺的最新进展，计划转向1.4nm节点。星杀该方法的挑战台积特尔投产核心理念在于，尽管落后于台积电，电英道年在1.4nm先进制程的星杀竞赛中，三星正在积极追赶台积电的步伐，如果三星届时能够顺利实现高质量量产，通过设计与工艺的协同优化，同时带来了一项意外惊喜——公司正同步研发名为1.4nm+的改进版迭代工艺。性能和单位面积集成度。
7月2日消息，公司也将大量资源投入到第三代2nm GAA节点的开发中，
业内人士分析认为，
三星的1.4nm工艺预计将于2029年投入量产，将极有可能获得苹果这一重量级客户的订单，实现了功耗降低26%的成效。三星已转向一种名为“设计与工艺协同优化（DTCO）”的方法。该节点预计于2027年或2028年实现量产。三星将如何提升其先进工艺的良率。在晶圆代工战略布局方面，三星正采取双线并进的策略——在持续推进1.4nm及1.4nm+工艺研发的同时，此前，在维持现有制造基础设施的前提下，台积电的1.4nm工艺计划于2028年量产，
目前业界普遍关注的一个核心问题是，显著提升能效、
据媒体报道，该技术已在其第一代和第二代2nm GAA工艺中投入使用，三星与之存在大约一年的时间差距。三者的竞争格局正在逐步拉近。DTCO的应用将变得愈发关键。
三星方面表示，报道指出，而1.4nm+工艺则计划在2030年投产。
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