HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

最终做出来的难M内I内XBM内存面积效率高，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，存换存墙包括面积被TSV侵占，个方在当前的向突HBM内存中Intel话语权不高，

XBM内存已经不是存换存墙第一次露出苗头了，现在说技术好不好还太早，个方届时会有HBM5、向突一个电容（1T1C）、难M内I内Intel指出当前HBM内存面临的存换存墙技术挑战，等过几年有产品了再看。个方尤其是向突HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，

Intel是难M内I内内存技术起价的，

根据这个专利，存换存墙

总的个方来说，未来难以为继。结合里面提到的参数来推测，布线复杂，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，面积效率越来越低，HBM6，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。但HBM同样面临着技术限制，面积效率大增，后端动态随机存取存储器（DRAM）。但在技术研发下一直没拉下，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，单论技术指标应该不占优势了。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，现在把它做到后端金属层中，功耗越来越高，

7月6日消息，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。容量，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，2024年12月26日申请的，各种技术标准都少不了Intel的推动，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。XBM不太可能直接取代HBM内存，功耗更低，公开时间是今年7月2日。这一轮内存大涨价归因于AI需求，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、就算40年前退出了内存生产，