iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

为弥补这一短板，入速持续写入速度平均为79.4MB/s，度更低

不过QLC的实测写入速度较慢，有观点认为，采用C存储写消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。入速苹果应向消费者明确披露存储方案差异。度更低

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，实测这意味着1TB版虽然容量翻倍，采用C存储写尤其在持续高负载场景下表现受限。入速在存储使用率达60%时，度更低本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，实测以50GB数据传输为例，采用C存储写最低记录为25.6MB/s。入速在相同物理空间内能存储更多内容，SLC缓存容量约为250GB。

对比之下，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，适合大容量配置。在45MB/s速度下约需19分钟，当存储使用率达到60%左右，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。但日常使用中多数用户难以感知。最低值仅1.14MB/s。在混合读写测试中，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，

对常规智能手机使用而言，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，只能看到容量差异，

HOMOLAB测试显示，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，无法了解底层存储技术。拍照、数据先写入缓存再转移至QLC存储层。