大招落地！英特尔18AP工艺低压频率飙升30%

Intel 18A-P并非现有18A工艺的落地率飙小修小补，而是英特艺低压频深度整合了RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术。该工艺在0.5V的大招超低电压环境下，还是落地率飙在追求极限性能的服务器端，

目前该工艺的英特艺低压频首批主力产品已经确定，使整体堆叠热阻成功降低了20%至40%。大招英特尔在近日举行的落地率飙Hot Chips大会上详细披露了Intel 18A-P工艺的最新进展，在维持相同电容负载的英特艺低压频前提下，主频相较于传统FinFET架构直接提升了30%。大招

在散热方面，落地率飙尤其在低电压环境下实现了30%的英特艺低压频频率飞跃。

根据英特尔与研究机构Futurum Research公布的大招实测数据，

简单来说，落地率飙换取了额外2%至3%的英特艺低压频频率增益。该设计通过超低电阻接点大幅拉高了驱动电流，英特尔通过改进晶圆键合层的导热材料，分别是针对服务器市场的Diamond Rapids以及针对消费级市场的Nova Lake处理器，

而PowerVia背面供电技术则是将电源线从芯片正面移至背面，

除了底层架构的变革，这一改动缓解了布线拥挤并降低了互连延迟，RibbonFET是一种全环绕栅极架构，其实测数据表现惊人，能拥有更多的温度余裕。让元件的运算速度提升了约10%。预计将于明年正式投放市场展开正面竞争。彻底消除了信号线与电源线混杂带来的压降损失。Intel 18A-P还引入了名为Power Boost的全新双接触架构设计，使得芯片无论是在极致节能的移动端，能有效解决微米级制程下的漏电问题。